| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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BSH108,215 |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | NXP Semiconductors | 12168 | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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BSH108,215参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT23 包装数量：3000 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss)：30V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：1.9A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：120 毫欧 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：190pF @ 10V 功率 - 最大值：830mW 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： 圆形KPSE06F20-16SWA206 DC DC ConVE-23T-MX-F2 端子 - 铲形PV10-10LF-Q 圆形KPSE06F20-16SX D-Sub，D 形10320-C200-00 矩形- 接头，公引M80-8411842 单二极管/整流器BAS521LP-7 晶体管(BJT) FMA5AT148 铝电容器ECA-1AM332 芯片电阻 - 表面RL0816S-R82-G |
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